Intel inventa los transistores en tres dimensiones

Los transistores desarrollados con estructuras tridimensionales permitirán continuar cumpliendo la Ley de Moore, ya que ofrecen más prestaciones y menor consumo energético

Transistores tridimensionales de Intel, Tri-gate

5 mayo 2011

Intel ha dado a conocer una nueva tecnología de fabricación de transistores denominada Tri-Gate, consistente en estructuras tridimensionales, en la que lleva trabajando los últimos años. Su intención es producirlos en grandes volúmenes para una generación de chips de 22 nanómetros que llevará el nombre de Ivy Bridge.

Los transistores en tres dimensiones son una reinterpretación del transistor convencional, y rompen con la estructura bidimensional hasta ahora utilizada para estos componentes que integran los procesadores de ordenadores, teléfonos móviles y aparatos electrónicos, así como electrodomésticos y vehículos. Su estructura permitirá continuar aumentando la densidad de transistores integrada en los chips, y por tanto seguir cumpliendo la Ley de Moore, según la cual esta densidad se duplica cada dos años.

Gracias a los transistores Tri-Gate los chips podrán consumir menos energía y ofrecer más potencia, incrementando el rendimiento de los chips de 22 nanómetros hasta un 37% en voltajes bajos en comparación con los de 32 nanómetros.

La denominación Tri-Gate proviene de los tres lados de su puerta, según la compañía. Mientras los transistores convencionales «planos» tienen una única puerta en la parte superior, los tridimensionales tienen puertas a cada uno de los tres lados expuestos de la conducción, permitiendo que la corriente circule con todo el flujo posible cuando funciona y que casi se anule cuando está apagado, minimizando el consumo energético. En la imagen superior se aprecia a la izquierda un transistor convencional frente a uno tridimensional (derecha).

Intel ya dispone de un prototipo de Ivy Bridge basado en estos transistores, aunque no estará listo para su fabricación a gran escala hasta finales de año.

En este vídeo la compañía explica las principales características de estos transistores (en inglés).

 

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