Intel y Micron lanzan Flash NAND de 25 nm

La memoria Flash NAND de 25 nanómetros, anunciada ayer por Intel y Micron en un comunicado conjunto, permitirá duplicar la capacidad de almacenamiento, con 8 Gbytes en un solo dispositivo NAND

Intel y Micron lanzan Flash NAND de 25 nm

2 febrero 2010

La memoria Flash NAND de 25 nanómetros, anunciada ayer por Intel y Micron en un comunicado conjunto, permitirá duplicar la capacidad de almacenamiento, con 8 Gbytes en un solo dispositivo NAND.

Este nuevo hito en la tecnología de procesamiento Flash NAND permitirá que los fabricantes creen discos de estado sólido de, por ejemplo, 256 Gbytes sólo con 32 dados Flash en lugar de 64. Según el comunicado, “mide sólo 167 mm2, lo bastante pequeño para entrar en el agujero del medio de un disco compacto (CD), pero tiene una capacidad 10 veces superior a la que entra en el propio CD”.

La memoria Flash NAND se utiliza en todo tipo de smartphones, desde iPhone hasta Nexus One, así como en PMP, tablet PC e incluso netbooks y portátiles con discos duros SSD. La nueva tecnología de almacenamiento de Intel y Micron permitirá reducir el tamaño de los dispositivos o duplicar su capacidad.

Intel y Micron ya tienen listas las primeras muestras con dispositivos de 8 Gbytes de capacidad y esperan que la Flash NAND de 25 nanómetros entre en producción masiva en el segundo trimestre de 2010, de modo que en la segunda mitad del año, y especialmente en la campaña navideña, ya tendremos dispositivos de consumo que la empleen.

Temas Relacionados
Loading...