Intel reduce el tamaño de los módulos flash NAND de 8 GB

Intel y Micron han presentado un nuevo proceso de fabricación de 20 nm para tecnología flash NAND, que reduce el tamaño de las memorias de 8 GB.

2 mayo 2011

Intel y Micron han presentado un nuevo proceso de fabricación de 20 nanómetros para tecnología flash NAND, que permite reducir el tamaño de los módulos flash NAND de 8 GB.

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El nuevo proceso de fabricación de 20 nanómetros permite producir módulos flash de memoria NAND MLC (Multi-Levell Cell o módulos multinivel) de 8 GB, una alternativa de almacenamiento de alta densidad y pequeño tamaño para almacenar música, vídeos, libros electrónicos (e-books) y otros datos en dispositivos móviles, como smartphones y tablets, y dispositivos informáticos como SSD.

Con ello, Intel y Micron responden a la necesidad generada por el aumento de los requerimientos de almacenamiento de datos, unido a las crecientes posibilidades de los dispositivos móviles, algo que exige buscar formas de aumentar las capacidades en diseños más reducidos.

Según Intel, los nuevos módulos de 8 GB fabricados con procesos de 20 nm miden tan solo 118m2 y permiten ahorrar entre un 30 y un 40% de espacio, en función del tipo de paquete del módulo, si se comparan con los actuales módulos NAND de 8 GB realizados con procesos de 25 nm.

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